首页-新闻-新品-文库方案-视频-下载-商城-座谈-培训-工具-博客-论坛-百科-GEC

设为首页 网站地图 加入收藏

首页 > 看开发 > 超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

播放次数:2759

标签:智能汽车 超级结MOSFET电动汽车充电桩

简介:电动汽车进程在持续推进以配合节能减排的趋势,对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间,需要更高能效、输出功率、功率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

 
  • 分享到: